Samsung CLT-C504S/ELS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK

Package

Tube

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

294W (Tc)

厂商

International Rectifier

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A (Tc)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10820 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

324 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-