DV56H9100EW详情
Samsung DV56H9100EW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
68-LCC (J-Lead)
供应商器件包装
68-PLCC (24.21x24.21)
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous
电压 - 供电
4.5 V ~ 5.5 V
基本部件号
IDT7007
内存大小
256Kb (32K x 8)
访问时间
55ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
DV56H9100EW拓展信息








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