Samsung IRFR110ATF

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

Part Package Code

TO-252

Risk Rank

5.14

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFR110ATF

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

59 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR