Samsung IRFSZ44

表面安装

NO

材料

Nylon

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Inner Diameter

3,86mm

RoHS

有

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

IRFSZ44

Turn-on Time-Max (ton)

242 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Turn-off Time-Max (toff)

205 ns

Risk Rank

5.76

Part Package Code

SFM

Drain Current-Max (ID)

28 A

系列

-

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28 A

漏极-源极导通最大电阻

0.028 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

48 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

48 W

外直径

9,53mm

环境耗散-最大值

65 W