Samsung IRLI530A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

14 A

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

IRLI530A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.6

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14 A

漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

49 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

261 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

62 W