Samsung K4D26323QG-GC2A

表面安装

YES

终端数量

144

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FBGA, BGA144,12X12,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA144,12X12,32

Access Time-Max

0.55 ns

Operating Temperature-Max

65 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K4D26323QG-GC2A

Clock Frequency-Max (fCLK)

350 MHz

Number of Words

4194304 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

FBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.86

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

0.8 mm

JESD-30代码

S-PBGA-B144

资历状况

不合格

电源

1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.445 mA

组织结构

4MX32

输出特性

3-STATE

内存宽度

32

待机电流-最大值

0.048 A

记忆密度

134217728 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

4096

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

达到SVHC

unknown