K4H1G0438M-TCB0详情
Samsung K4H1G0438M-TCB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
66
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSSOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Number of Words
268435456 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Manufacturer Part Number
K4H1G0438M-TCB0
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
0.75 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
256000000
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
端子间距
0.635 mm
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.35 mA
组织结构
256MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.006 A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
达到SVHC
compliant
K4H1G0438M-TCB0拓展信息








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