Samsung K4H511638D-UCA2

表面安装

YES

终端数量

66

Access Time-Max

0.75 ns

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

K4H511638D-UCA2

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words

33554432 words

Number of Words Code

32000000

Operating Temperature-Max

70 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TSSOP

Package Description

TSSOP, TSSOP66,.46

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.84

Rohs Code

有

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.345 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8