K4H560838B-TCB0详情
Samsung K4H560838B-TCB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
房屋材料
Zinc
终端数量
66
Manufacturer Part Number
E50TD1S
Approvals
CSA, TUV, UL
Manufacturer
Cutler Hammer, Div of Eaton Co
Package Description
TSOP2, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.75 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.68
Part Package Code
TSOP2
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
执行器类型
Rotary
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5,2.5/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
电缆长度
2.4 m, 8
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.235 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
指标
无
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
连接类型
电线引线
自我刷新
YES
触点
2NO/2NC
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm
达到SVHC
unknown
K4H560838B-TCB0拓展信息








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