K4M56323LG-HN75详情
Samsung K4M56323LG-HN75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
90
Package Description
FBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Risk Rank
5.82
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
FBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Number of Words
8388608 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Manufacturer Part Number
K4M56323LG-HN75
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
5.4 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
8000000
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源
2.5 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
8MX32
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
达到SVHC
unknown
K4M56323LG-HN75拓展信息








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