K4R271669H-DCS80详情
Samsung K4R271669H-DCS80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
54
Package Description
TBGA, BGA54,7X9,50
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA54,7X9,50
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
45 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4R271669H-DCS80
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
54
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.63 V
电源
1.8/2.5,2.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
2.37 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.4 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
RAMBUS DRAM
刷新周期
16384
访问模式
BLOCK ORIENTED PROTOCOL
自我刷新
YES
宽度
11.8 mm
长度
12 mm
达到SVHC
compliant
K4R271669H-DCS80拓展信息








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