K4R881869E-GCT9详情
Samsung K4R881869E-GCT9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
92
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA92,10X18,32
Access Time-Max
32 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4R881869E-GCT9
Clock Frequency-Max (fCLK)
1066 MHz
Number of Words
16777216 words
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B92
资历状况
不合格
电源
1.8/2.5,2.5 V
电源电流-最大值
0.75 mA
组织结构
16MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
记忆密度
301989888 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
RAMBUS DRAM
达到SVHC
unknown
K4R881869E-GCT9拓展信息








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