K4S561632N-LI75详情
Samsung K4S561632N-LI75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSOP, TSOP54,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP54,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.4 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4S561632N-LI75
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
无铅代码
有
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
不合格
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.08 mA
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
达到SVHC
compliant
K4S561632N-LI75拓展信息








哦! 它是空的。