Samsung K4T2G044QM-ZCE60

表面安装

YES

端子形状

LUG

越来越多的功能

CHASSIS MOUNT

终端数量

2

Operating Temperature-Min

-55

Operating Temperature-Max

85

Package Shape

光盘包

Manufacturer Series

E

Package Description

TFBGA, BGA68,9X19,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Words Code

512000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA68,9X19,32

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.45 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4T2G044QM-ZCE60

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

536870912 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.84

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.36

子类别

DRAMs

包装方式

BULK

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

电阻器类型

VARISTOR

引脚数量

68

JESD-30代码

R-PBGA-B68

资历状况

不合格

额定功率损耗(P)

0.8

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

额定温度

85

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

端子放置位置

RADIAL

组织结构

512MX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

4

记忆密度

2147483648 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

电路最大直流电压

180

电路最大有效值电压

140

访问模式

多库页面突发

能量吸收能力-Max

150

自我刷新

YES

宽度

11 mm

长度

21.7 mm

达到SVHC

compliant