Samsung K4T51163QE-ZCE7

表面安装

YES

终端数量

90

Package Description

FBGA, BGA90,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA90,9X15,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.4 ns

Operating Temperature-Max

95 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4T51163QE-ZCE7

Clock Frequency-Max (fCLK)

400 MHz

Number of Words

33554432 words

Risk Rank

5.82

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

三星半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

FBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8 mm

JESD-30代码

R-PBGA-B90

资历状况

不合格

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.28 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

达到SVHC

compliant