Samsung K4T51163QG-HCD5

表面安装

YES

终端数量

84

Package Description

FBGA, BGA84,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Access Time-Max

0.5 ns

Operating Temperature-Max

95 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4T51163QG-HCD5

Clock Frequency-Max (fCLK)

267 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

FBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.84

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.235 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8