Samsung K4T51163QG-HCF8

表面安装

YES

终端数量

84

Package Description

FBGA, BGA84,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.35 ns

Operating Temperature-Max

95 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4T51163QG-HCF8

Clock Frequency-Max (fCLK)

533 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

FBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.84

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn97.0Ag2.5Cu0.5)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.29 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

高速缓冲存储器模块

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8