K6F4016V6D-FF55T详情
Samsung K6F4016V6D-FF55T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
FBGA, BGA48,6X8,30
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K6F4016V6D-FF55T
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000003 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
K6F4016V6D-FF55T拓展信息








哦! 它是空的。