Samsung K6F8016U6D-FF55

表面安装

YES

终端数量

48

Package Description

VFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K6F8016U6D-FF55

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.92

ECCN 代码

3A991.B.2.A

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.3 V

电源

3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.028 mA

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.000006 A

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

宽度

6 mm

长度

7 mm