Samsung K6F8016U6D-FF55T

表面安装

YES

终端数量

48

Access Time-Max

55 ns

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

K6F8016U6D-FF55T

Number of Words

524288 words

Number of Words Code

512000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

FBGA

Package Description

FBGA, BGA48,6X8,30

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.92

Rohs Code

无

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

3 V

温度等级

INDUSTRIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.028 mA

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.000006 A

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V