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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | JESD-609代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 端子间距 | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 输出特性 | 内存宽度 | 记忆密度 | 并行/串行 | I/O类型 | 内存IC类型 | 待机电压-最小值 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | K6T0908U2B-YF85T | Samsung Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 32 | K6T0908U2B-YF85T | 无 | 活跃 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | TSSOP, TSSOP32,.56,20 | 5.88 | 85 ns | 65536 words | 64000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | TSSOP32,.56,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 3 V | e0 | Tin/Lead (Sn/Pb) | DUAL | 鸥翼 | 0.5 mm | compliant | R-PDSO-G32 | 不合格 | 3 V | INDUSTRIAL | ASYNCHRONOUS | 0.025 mA | 64KX8 | 3-STATE | 8 | 524288 bit | PARALLEL | COMMON | 标准SRAM | 2 V |
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