Samsung K6T1008C2CDB55

表面安装

NO

终端数量

32

RoHS

Non-Compliant

Package Description

DIP, DIP32,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

K6T1008C2C-DB55

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

8.43

Part Package Code

DIP

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.06 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

宽度

15.24 mm

长度

41.91 mm