K6T1008C2C-DL70详情
Samsung K6T1008C2C-DL70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Panel Mount, Through Hole
表面安装
NO
越来越多的功能
Flange
外壳材料
Aluminum
终端数量
32
Package
零售包装
Primary Material
Metal
厂商
Glenair
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
RoHS
Non-Compliant
Package Description
DIP, DIP32,.6
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP32,.6
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
K6T1008C2C-DL70
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.8
Part Package Code
DIP
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
806
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
颜色
橄榄色
HTS代码
8542.32.00.41
紧固类型
Threaded
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
方向
D
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
引脚数量
32
外壳尺寸-插入
42-28
JESD-30代码
R-PDIP-T32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
特征
Ground
宽度
15.24 mm
长度
41.91 mm
K6T1008C2C-DL70拓展信息








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