Samsung K7I641884M-FC30

表面安装

YES

终端数量

165

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Rohs Code

无

Risk Rank

5.45

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Part Package Code

BGA

Part Life Cycle Code

Obsolete

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Package Shape

RECTANGULAR

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Code

LBGA

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

70 °C

Number of Words Code

4000000

Number of Words

4194304 words

Manufacturer Part Number

K7I641884M-FC30

Manufacturer

三星半导体

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Clock Frequency-Max (fCLK)

300 MHz

Access Time-Max

0.45 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

操作模式

SYNCHRONOUS

组织结构

4MX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

记忆密度

75497472 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

宽度

15 mm

长度

17 mm