K7J161882B-EC250详情
Samsung K7J161882B-EC250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
2
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
K7J161882B-EC250
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
1048576 words
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Risk Rank
5.83
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.45 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.21 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
长度
15 mm
宽度
13 mm
达到SVHC
compliant
K7J161882B-EC250拓展信息








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