K8P5616UZB-EI4E0详情
Samsung K8P5616UZB-EI4E0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
64
Package Description
11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
80 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
K8P5616UZB-EI4E0
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
64
JESD-30代码
R-PBGA-B64
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
16MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
引导模块
BOTTOM/TOP
宽度
11 mm
长度
13 mm
K8P5616UZB-EI4E0拓展信息








哦! 它是空的。