KFG5616U1M-DIB0详情
Samsung KFG5616U1M-DIB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
14.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
KFG5616U1M-DIB0
Number of Words
16777216 words
Risk Rank
5.84
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
FBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Package Description
FBGA, BGA63,10X12,32
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
16MX16
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
512
行业规模
32K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
达到SVHC
compliant
KFG5616U1M-DIB0拓展信息








哦! 它是空的。