Samsung KM41256AJ12

表面安装

YES

终端数量

18

Package Description

QCCJ, LDCC18,.33X.53

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC18,.33X.53

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

KM41256AJ-12

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.64

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

DRAMs

技术

MOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PQCC-J18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.075 mA

组织结构

256KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

记忆密度

262144 bit

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

DRAM 模式页面

刷新周期

256