KM416C254DLT-6详情
Samsung KM416C254DLT-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
40
Access Time-Max
60 ns
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Manufacturer
三星半导体
Manufacturer Part Number
KM416C254DLT-6
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Description
TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Package Equivalence Code
TSOP40/44,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
TSOP2
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.87
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00015 A
记忆密度
4194304 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
512
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
YES
长度
18.41 mm
宽度
10.16 mm
KM416C254DLT-6拓展信息








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