Samsung KM41C464P-8

表面安装

NO

终端数量

18

Part Package Code

DIP

Risk Rank

5.84

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

三星半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

65536 words

Manufacturer Part Number

KM41C464P-8

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

80 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

64000

Package Style

IN-LINE

Package Description

DIP, DIP18,.3

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

HTS代码

8542.32.00.02

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

18

JESD-30代码

R-PDIP-T18

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.055 mA

组织结构

64KX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.65 mm

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.001 A

记忆密度

262144 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

快速页面 DRAM

刷新周期

256

访问模式

快速页面

长度

22.96 mm

宽度

7.62 mm