Samsung KM68V512ALTGE-8L

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

安装类型

通孔

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

32

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Package

Bulk

RoHS

Non-Compliant

Package Description

TSOP1, TSSOP32,.56,20

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP32,.56,20

Operating Temperature-Min

-25 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

85 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

KM68V512ALTGE-8L

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.92

Part Package Code

TSOP1

系列

Military, MIL-PRF-19500/545

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.04 mA

功率 - 最大

1 W

组织结构

64KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

晶体管类型

PNP

待机电流-最大值

0.000015 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

记忆密度

524288 bit

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

频率转换

-

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

宽度

8 mm

长度

11.8 mm

达到SVHC

unknown