KM718BV87J-9详情
Samsung KM718BV87J-9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
52
Package Description
QCCJ, LDCC52,.8SQ
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC52,.8SQ
Access Time-Max
9 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
KM718BV87J-9
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.88
Part Package Code
LCC
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SELF-TIMED WRITE; BYTE WRITE; BURST COUNTER
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
BICMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
52
JESD-30代码
S-PQCC-J52
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.47 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.13 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.27 mA
组织结构
64KX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.52 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.08 A
记忆密度
1179648 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.13 V
输出启用
YES
宽度
19.05 mm
长度
19.05 mm
KM718BV87J-9拓展信息








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