Samsung KM736V749T-75

底架

Bulkhead, Front Side Nut, Panel

触点镀层

Gold

表面安装

YES

本体材质

Aluminium

终端数量

100

RoHS

Compliant

Contact Materials

Copper

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

4.2 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

KM736V749T-75

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.91

Part Package Code

QFP

JESD-609代码

e0

终端

Crimp

ECCN 代码

3A991.B.2.A

连接器类型

Circular, Receptacle

定位的数量

4

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

性别

Receptacle

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

紧固类型

Threaded

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

接头数量

4

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.3 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

特征

Shielded

宽度

14 mm

长度

20 mm

达到SVHC

无SVHC

评级结果

抗环境干扰