Samsung KM736V789T-60

安装类型

Through Hole, Right Angle

表面安装

YES

材料 - 绝缘

Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled

终端数量

100

Package

Tray

Base Product Number

-

厂商

TE Connectivity Erni

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Access Time-Max

3.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

KM736V789T-60

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.58

Part Package Code

QFP

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

-

JESD-609代码

e0

终端

Solder

ECCN 代码

3A991.B.2.A

连接器类型

Receptacle, Female Sockets

定位的数量

128

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

行数

4

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

额定电流

-

螺距

0.100 (2.54mm)

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

样式

RD

已加载定位数量

All

引脚数量

100

触点表面处理

Gold

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.425 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

级别，类别

2

特征

-

宽度

14 mm

长度

20 mm

触点表面处理厚度

-

材料可燃性等级

UL94 V-0

达到SVHC

unknown