KSH122-TF详情
Samsung KSH122-TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
KSH122-TF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.12
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
4 V
集电极-基极电容-最大值
200 pF
环境耗散-最大值
20 W
KSH122-TF拓展信息








哦! 它是空的。