M368L3313CT1-CA2详情
Samsung M368L3313CT1-CA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
NO
终端数量
184
RoHS
Compliant
Package Description
DIMM, DIMM184
Package Style
微电子组件
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIMM184
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.75 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M368L3313CT1-CA2
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
Part Package Code
DIMM
容差
0.1 %
ECCN 代码
EAR99
温度系数
50 ppm/°C
电阻
15.8 Ω
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
军用标准
MIL-PRF-55182
引脚数量
184
JESD-30代码
R-XDMA-N184
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
3.24 mA
组织结构
32MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
4096
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
长度
7.62 mm
直径
2.39 mm
M368L3313CT1-CA2拓展信息








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