Samsung M53230410CW0-C60

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

表面安装

NO

供应商器件包装

1206

终端数量

72

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

TNPW1206

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Package Description

SIMM, SSIM72

Package Style

微电子组件

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

SSIM72

Access Time-Max

60 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

M53230410CW0-C60

Number of Words

4194304 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SIMM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

SIMM

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

TNPW e3

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

容差

±0.1%

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±10ppm/°C

电阻

6.19 kOhms

组成

Thin Film

功率(瓦特)

0.25W, 1/4W

附加功能

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

HTS代码

8542.32.00.02

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

72

JESD-30代码

R-XSMA-N72

资历状况

不合格

失败率

-

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.8 mA

组织结构

4MX32

输出特性

3-STATE

内存宽度

32

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

134217728 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

EDO DRAM MODULE

刷新周期

2048

访问模式

FAST PAGE WITH EDO

特征

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

AEC-Q200