MS18R3266AH0-CT9详情
Samsung MS18R3266AH0-CT9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
160
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
DMA
Package Description
DIMM, DIMM160,25
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
192000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIMM160,25
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
32 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MS18R3266AH0-CT9
Clock Frequency-Max (fCLK)
1066 MHz
Number of Words
201326592 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.635 mm
引脚数量
160
JESD-30代码
R-XDMA-N160
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.63 V
电源
1.8/2.5,2.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
2.37 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
192MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
记忆密度
3623878656 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
RAMBUS DRAM MODULE
访问模式
BLOCK ORIENTED PROTOCOL
自我刷新
YES
达到SVHC
compliant
MS18R3266AH0-CT9拓展信息








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