K6F2016U4E-EF70T
K6F2016U4E-EF70T

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Samsung Electro-Mechanics K6F2016U4E-EF70T

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型号

K6F2016U4E-EF70T

utmel 编号

2107-K6F2016U4E-EF70T

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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K6F2016U4E-EF70T详情

Samsung Electro-Mechanics K6F2016U4E-EF70T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • Manufacturer Part Number

    K6F2016U4E-EF70T

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    VFBGA, BGA48,6X8,30

  • Risk Rank

    5.92

  • Access Time-Max

    70 ns

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    131072 words

  • Number of Words Code

    128000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA48,6X8,30

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.3 V

  • 电源

    3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.017 mA

  • 组织结构

    128KX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.000002 A

  • 记忆密度

    2097152 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.5 V

  • 长度

    7 mm

  • 宽度

    6 mm

0个相似型号

K6F2016U4E-EF70T拓展信息

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