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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.702461
10
¥11.983453
100
¥11.305144
500
¥10.66523
1000
¥10.061534
Samsung Electro-Mechanics K6F2016U4E-EF70T
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K6F2016U4E-EF70T
2107-K6F2016U4E-EF70T
集成电路(IC)
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K6F2016U4E-EF70T详情
Samsung Electro-Mechanics K6F2016U4E-EF70T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Manufacturer Part Number
K6F2016U4E-EF70T
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
VFBGA, BGA48,6X8,30
Risk Rank
5.92
Access Time-Max
70 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VFBGA
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
电源
3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.017 mA
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
长度
7 mm
宽度
6 mm
K6F2016U4E-EF70T拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics






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