BCW60C
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Samsung Semiconductor BCW60C

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型号

BCW60C

utmel 编号

2107-BCW60C

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BCW60C Samsung Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BCW60C详情

Samsung Semiconductor BCW60C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1812

  • Case - mm

    4532

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    0.055 g

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    SOT-23, 3 PIN

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    125 MHz

  • Turn-off Time-Max (toff)

    800 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    150 ns

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±5%

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电容量

    0.22µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    X7R

  • 配置

    SINGLE

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    90

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

  • Operating voltage

    50V

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技术文档: Samsung Semiconductor BCW60C.

BCW60C拓展信息

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