CIB21P330NE
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Samsung Semiconductor CIB21P330NE

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型号

CIB21P330NE

utmel 编号

2107-CIB21P330NE

商品类别

铁氧体磁珠和芯片

封装

0805

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

CIB21P330NE datasheet pdf and Ferrite Beads and Chips product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel

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CIB21P330NE Samsung Semiconductor

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CIB21P330NE详情

Samsung Semiconductor CIB21P330NE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    0805

  • Material-Core

    Ferrite

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    25%

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 深度

    1.25mm

  • 阻抗

    33Ohm

  • 最大直流电流

    1.5A

  • 直流电阻(DCR)-并联

    50mOhm

  • 行数

    1

  • 最大额定电流

    1.5A

  • 高度

    1.0922mm

  • 长度

    2.0066mm

  • 宽度

    1.2446mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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