Samsung Semiconductor CIB41P151NE
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CIB41P151NE
2107-CIB41P151NE
铁氧体磁珠和芯片
1806
大陆
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CIB41P151NE datasheet pdf and Ferrite Beads and Chips product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
--最小包装量--
CIB41P151NE详情
Samsung Semiconductor CIB41P151NE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
1806
Material-Core
Ferrite
包装
Tape & Reel (TR)
容差
25%
电阻
150Ohm
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
阻抗
150Ohm
最大直流电流
1A
直流电阻(DCR)-并联
50mOhm
行数
1
最大额定电流
1A
高度
1.8034mm
长度
4.4958mm
宽度
1.6002mm
RoHS状态
符合RoHS标准
CIB41P151NE拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung
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Samsung Electro-Mechanics
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