Samsung Semiconductor CIC21P221NE
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CIC21P221NE
2107-CIC21P221NE
铁氧体磁珠和芯片
0805
大陆
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Ferrite Beads Multi-Layer 220Ohm 25% 100MHz 2A 50mOhm DCR 0805 Embossed T/R
--最小包装量--
CIC21P221NE详情
Samsung Semiconductor CIC21P221NE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
0805
材料
Ferrite
Material-Core
Ferrite
包装
Tape & Reel (TR)
容差
25%
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
深度
1.25mm
额定电流
3.2A
测试频率
100MHz
阻抗
220Ohm
最大直流电流
3.2A
直流电阻(DCR)-并联
35mOhm
行数
1
最大额定电流
3.2A
高度
900μm
长度
2mm
宽度
1.2446mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
CIC21P221NE拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung
Samsung
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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