Samsung Semiconductor CL21B823KBFNNNG

底架

表面贴装

包装/外壳

0805

端子形状

WRAPAROUND

容差

10%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

15% ppm/°C

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-55°C

电容量

82nF

电压 - 额定直流

50V

包装方式

TR, EMBOSSED, 7 INCH

深度

1.25mm

电容式

陶瓷电容器

电介质

X7R

温度特性代码

X7R

多层

有

高度

1.35mm

长度

2.0066mm

宽度

1.2446mm

器件厚度

1.3462mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅