Samsung Semiconductor CL21C562JBF1PNE

底架

表面贴装

端子形状

WRAPAROUND

介电材料

CERAMIC

Voltage Rated

50V

容差

5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

30ppm/Cel ppm/°C

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8532.24.00.20

电容量

5.6nF

包装方式

TR, EMBOSSED, 7 INCH

箱码（公制）

2012

箱码（英制）

0805

电容式

陶瓷电容器

温度特性代码

C0G

多层

有

高度

1.25mm

长度

2.0066mm

宽度

1.2446mm

器件厚度

1.3462mm

RoHS状态

符合RoHS标准

评级结果

AEC-Q200