Samsung Semiconductor CL31C221KIHNNNE
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CL31C221KIHNNNE
2107-CL31C221KIHNNNE
陶瓷电容器
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大陆
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Cap Ceramic 220pF 1000V C0G 10% SMD 1206 125C Embossed T/R
1最小包装量--
CL31C221KIHNNNE详情
Samsung Semiconductor CL31C221KIHNNNE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
端子形状
WRAPAROUND
介电材料
C0G
Operating Temperature (Max)
125°C
Operating Temperature (Min)
-55°C
Voltage - Rated (DC)
1kV
包装
Tape & Reel
容差
10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
30ppm/Cel ppm/°C
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8532.24.00.20
电容量
220pF
深度
1.6mm
箱码(公制)
3216
箱码(英制)
1206
电容式
陶瓷电容器
温度特性代码
C0G
多层
有
额定(DC)电压(URdc)
1000V
高度
1.6mm
长度
3.2mm
宽度
1.6002mm
器件厚度
1.8034mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
CL31C221KIHNNNE拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
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