Samsung Semiconductor K4B1G1646D-HCF8

表面安装

YES

终端数量

100

Package Description

FBGA, BGA100,11X16,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA100,11X16,32

Access Time-Max

0.3 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4B1G1646D-HCF8

Clock Frequency-Max (fCLK)

533 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

FBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.75

JESD-609代码

e1

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B100

资历状况

不合格

电源

1.5 V

电源电流-最大值

0.31 mA

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

1073741824 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

8

交错突发长度

8