Samsung Semiconductor K4B8G1646B-MCK0
- 收藏
- 对比
K4B8G1646B-MCK0
2107-K4B8G1646B-MCK0
无类别的
--
大陆
立即发货

K4B8G1646B-MCK0 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
K4B8G1646B-MCK0详情
Samsung Semiconductor K4B8G1646B-MCK0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
96
Package Description
FBGA, BGA96,9X16,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Access Time-Max
0.225 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4B8G1646B-MCK0
Clock Frequency-Max (fCLK)
800 MHz
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e1
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.251 mA
输出特性
3-STATE
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
8589934592 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
K4B8G1646B-MCK0拓展信息







哦! 它是空的。