Samsung Semiconductor K4D261638I-TC50
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K4D261638I-TC50
2107-K4D261638I-TC50
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K4D261638I-TC50详情
Samsung Semiconductor K4D261638I-TC50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
66
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
65 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
K4D261638I-TC50
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
无铅代码
无
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.39 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.345 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm
K4D261638I-TC50拓展信息







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