Samsung Semiconductor K4D263238A-GC45
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K4D263238A-GC45
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K4D263238A-GC45详情
Samsung Semiconductor K4D263238A-GC45重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
144
Package Description
LFBGA, BGA144,12X12,32
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.37
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
SQUARE
Package Code
LFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Number of Words
4194304 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
222 MHz
Manufacturer Part Number
K4D263238A-GC45
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
65 °C
Access Time-Max
0.7 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
BGA144,12X12,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
4000000
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
144
JESD-30代码
S-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.75 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.065 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8,FP
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12 mm
宽度
12 mm
K4D263238A-GC45拓展信息







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